功能描述：MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD

制造商：microsemi corporation

系列：POWER MOS IV?

包装：管件

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：27A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：210nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3500pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：360W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：220 毫欧 @ 13.5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247AD

封装/外壳：TO-247-3

标准包装：30

APT5023DN

APT5024AVR

APT5024BFLLG

APT5024BLLG

APT5024BVFRG

APT5024BVRG

APT5025AN

APT5025BN

APT5025BNG

APT5026HVR